Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 3 A, 5-Pin ThinPAK 5 x 6

Das neue CoolMOS TM ThinPAK 5x6 von Infineon ist ein bleifreies SMD-Gehäuse, das speziell für Hochspannungs-MOSFETs entwickelt wurde. Dieses neue Gehäuse hat eine sehr kleine Abmessung von 5 x 6 mm 2 und ein sehr flaches Profil mit nur 1 mm Höhe. Diese deutlich kleinere Gehäusegröße in Kombination mit ihren niedrigen parasitären Referenzinduktivitäten kann als neue und effektive Möglichkeit zur Verringerung der Systemlösungsgröße in leistungsdichten Designs verwendet werden. Das ThinPAK 5x6-Gehäuse zeichnet sich durch eine sehr niedrige Quellinduktivität von 1,6 nH sowie eine ähnliche thermische Leistung wie DPAK aus. Das Gehäuse ermöglicht somit ein schnelleres und somit effizienteres Schalten von Leistungs-MOSFETs und ist in Bezug auf Schaltverhalten und elektromagnetische Störungen leichter zu handhaben.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mmmm2)
Flache Bauweise (1 mm)
Geringe parasitäre Induktivität
RoHS-konform
Halogenfreie Formmasse