Infineon P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET P 950 V / 9 A 68 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 217-2492P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA95R750P7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- IPA95R750P7XKSA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 950V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 750mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.9mm | |
| Höhe | 29.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 950V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 750mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.9mm | ||
Höhe 29.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die neueste 950V CoolMOS TM P7-Serie von Infineon setzt eine neue Marke in 950V-Super-Abzweigtechnologien und kombiniert erstklassige Leistung mit der neuesten Art der Benutzerfreundlichkeit, die sich aus der über 18 Jahre lang bahnbrechenden Innovation der Super-Abzweigtechnologie von Infineon ergibt.
Best-in-Class FOMRDS (on) * Eoss; Reduzierte Qg, Ziss und Coss
Klassenbeste V(GS)th von 3 V und kleinste V(GS)th-Variation von ±0,5 V
Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz
Erstklassige CoolMOS-Qualität und Zuverlässigkeit
Vollständig optimiertes Portfolio