Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 5,2 A, 3-Pin TO-220 FP

Der Infineon CoolMOS TM CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Superjunction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V CoolMOS TM CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.

Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)
Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)
Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)
Optimierte integrierte R g.