Taiwan Semiconductor TSM025 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 48 A 48 W, 8-Pin PDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 216-9683P
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM110NB04DCR
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 48A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.2mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 6.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 48A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.2mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 6.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft