Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 124 A 83 W, 8-Pin PDFN56

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RS Best.-Nr.:
216-9657
Herst. Teile-Nr.:
TSM036N03PQ56
Hersteller:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

124A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TSM025

Gehäusegröße

PDFN56

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

50nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.78 mm

Länge

6mm

Höhe

1.05mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU

Automobilstandard

Nein

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

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