Taiwan Semiconductor TSM025 N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 161 A 135 W, 8-Pin PDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 216-9650P
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM025NB04LCR
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor
Derzeit nicht erhältlich
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- 216-9650P
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 161A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 135W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 112nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 3.81mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 161A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 135W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 112nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 3.81mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft