Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 97 A 230 W, 3-Pin TO-262

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RS Best.-Nr.:
215-2602
Herst. Teile-Nr.:
IRFSL4410ZPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

97A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-262

Serie

StrongIRFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

120nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon Strong IRFET ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler. Es verfügt über Anwendungen wie z. B. hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS, unterbrechungsfreie Stromversorgung, schnelle Leistungsschaltung, hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen.

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

Durchkontaktiertes Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

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