Infineon 800V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 45 W, 3-Pin TO-252

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für die Leistungsumwandlung und das energieeffiziente Schalten in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Temperaturbereich und wird in einem oberflächenmontierten Gehäuse geliefert, das für kompakte Leiterplattenlayouts geeignet ist, wodurch er sich für Industrie- und Leistungselektronikanwendungen eignet, bei denen eine robuste Spannungsübertragung erforderlich ist.

• Der Ablasswert von 800 V ermöglicht das Schalten von Hochspannungsanlagen
• 6 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Niedriger Einschaltwiderstand von 900 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 15 nC typische Gate-Ladung ermöglicht eine schnellere Gate-Drive-Reaktion
• Maximale Verlustleistung von 45 W bewältigt erhebliche thermische Belastungen
• Die Gate-Source-Toleranz von bis zu 20 V eignet sich für gängige Gate-Drive-Spannungen

• Ideal für Stromversorgungen in Hochspannungswandlern
• Wird für Schaltmodus-Stromversorgungsstufenumschaltung verwendet
• Geeignet für industrielle Frequenzumrichter-Front-Ends
• Kann für Hochspannungs-Motorantriebsstromkreise verwendet werden
• Wird mit kompakten Oberflächenmontage-Baugruppen auf Leiterplatten verwendet

Er ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt und deckt Anwendungen mit niedrigen Temperaturen und erhöhten Anschlüssen ab.

Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, um Leiterplattenfläche zu sparen.

Das Gerät weist einen Einschaltwiderstand von bis zu 900 mΩ auf, wodurch Leitungsverluste und thermisches Design für Dauerströme bis zu 6 A beeinflusst werden.

Die Gate-Source-Nennspannung beträgt ±20 V, und die typische Gesamt-Gate-Ladung beträgt 15 nC, was Ihre Treiberfähigkeit und das Schaltbudget informiert.