Infineon 700V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 8.5 A 10.5 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 215-2509
Herst. Teile-Nr.:: IPD70R600P7SAUMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon 700V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 8.5 A 10.5 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 215-2509
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Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	700V
	Serie	700V CoolMOS P7
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	600mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	10.5W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	10.5nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 700V
	Serie 700V CoolMOS P7
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 10.5W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.5nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD70R600P7SAUMA1

Infineon 700 V CoolMOS P7 Serie MOSFET, 700 V Drain-Source-Spannung, 8,5 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPD70R600P7SAUMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet im Enhancement-Modus und ist für Schaltkreise vorgesehen, die eine hohe Ablass-Quellenspannung erfordern, während er gleichzeitig eine moderate Leitfähigkeit und eine thermische Handhabung für kompakte SMD-Layouts bietet.

Merkmale und Vorteile:

• Die Drain-Source-Bewertung von 700 V ermöglicht Hochspannungsschaltvorgänge
• 8.5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Lastleitung
• Ein Rds(on) von 600 mΩ begrenzt die Leitungsverluste in Konstruktionen mit mittlerer Leistung
• Maximale Verlustleistung von 10,5 W ermöglicht eine zuverlässige thermische Spanne
• 10,5 nC typische Gate-Ladung sorgt für schnellere Gate-Übergänge
• Eine Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für Primärseitige Stromumwandlungsstufen
• Wird mit resonanten und hard-switched-Topologien verwendet
• Kann für Vorschaltgeräte für industrielle Beleuchtung verwendet werden
• Einsatz in kompakten SMD-Leistungsmodulen

Welchem Temperaturbereich kann er im Betrieb standhalten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und deckt einen breiten Bereich von thermischen Umgebungen ab.

Wie viele elektrische Verbindungen bietet er für das Leiterplatten-Layout?

Das Gerät verfügt über drei Pins in einem TO‐252-Gehäuse für die Oberflächenmontage, das ein herkömmliches SMD-Design erfordert.

Welche Leitungscharakteristik bestimmt den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand?

Der Einschaltwiderstand von 600 mΩ definiert den Spannungsabfall bei einem bestimmten Ableitstrom und wirkt sich auf die Leitungsverluste aus.

Wie wirkt sich der Gate-Antrieb auf die Schaltleistung aus?

Die typische Gate-Ladung von 10,5 nC bei Vgs beeinflusst den erforderlichen Antriebsstrom und die Schaltgeschwindigkeit für einen bestimmten Gate-Treiber.