Infineon OptiMOS-T2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 25 A 29 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 215-2504P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD25N06S4L30ATMA2
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 300mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 29W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 300mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 29W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS-T2 Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 25 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD25N06S4L30ATMA2
Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine robuste Strombelastbarkeit und ein breiter Temperaturbereich erforderlich sind. Er arbeitet als N-Kanal-Gerät mit Enhancement-Modus und eignet sich für Schaltkreise, die eine kontrollierte Leitung zwischen Drain und Quelle unter dem angelegten Gate-Antrieb benötigen. Die Komponente ist in einem TO-252-Gehäuse für die Leiterplattenmontage untergebracht und eignet sich für typische Gate-Drive-Spannungen, die in diskreten Leistungsstufen verwendet werden.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nenndrain-Spannung von 60 V ermöglicht den Einsatz in Systemen mit mittlerer Spannung
• 25 A Dauerstrom unterstützt Schaltvorgänge mit hoher Last
• Maximale Rds(on) von 300 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 29 W bewältigt thermische Belastungen
• 16,3 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnelleres Schalten
• Die Gate-Nennspannung von ±20 V toleriert gängige Gate-Ausbrüche
• 25 A Dauerstrom unterstützt Schaltvorgänge mit hoher Last
• Maximale Rds(on) von 300 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 29 W bewältigt thermische Belastungen
• 16,3 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnelleres Schalten
• Die Gate-Nennspannung von ±20 V toleriert gängige Gate-Ausbrüche
Anwendungsbereich
• Geeignet für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Motorantrieb-Halbbrücken-Konfigurationen verwendet
• Kann für Batteriemanagement-Schaltelemente verwendet werden
• Geeignet für allgemeine Niederspannungs-Leistungsschaltvorgänge
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Motorantrieb-Halbbrücken-Konfigurationen verwendet
• Kann für Batteriemanagement-Schaltelemente verwendet werden
• Geeignet für allgemeine Niederspannungs-Leistungsschaltvorgänge
Welchen Umgebungstemperaturen kann er während des Betriebs standhalten?
Er funktioniert in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht so den Einsatz in extremen thermischen Umgebungen.
Wie wirkt sich der Gate-Ladewert auf die Schaltleistung aus?
Eine typische Gate-Ladung von 16,3 nC bestimmt die erforderliche Antriebsenergie und wirkt sich auf die Schaltgeschwindigkeit und die Antriebsgröße für effiziente Übergänge aus.
Welche Befestigungsaspekte sind für das Wärmemanagement relevant?
Das oberflächenmontierbare TO-252-Gehäuse erfordert eine ausreichende Kupfer-Pad-Fläche und Wärmeleitungen auf der Leiterplatte, um Wärme zu vertreiben und die 29-W-Ableitfähigkeit zu erfüllen.
Welche Amplitude des Gate-Antriebs ist für einen sicheren Betrieb zulässig?
Das Gerät nimmt Gate-Spannungen von bis zu ±20 V auf, wodurch die maximal zulässige Ansteuerung festgelegt wird, um Gate-Überspannungen zu vermeiden.