Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 6.5 A 21.2 W, 3-Pin TO-220

Bulk discount available

Subtotal 100 units (supplied in a tube)*

€ 72,70

(exc. VAT)

€ 87,20

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
Auf Lager
  • 260 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Units
Per unit
100 - 180€ 0,727
200 - 480€ 0,697
500 - 980€ 0,666
1000 +€ 0,621

*price indicative

Packaging Options:
RS Stock No.:
215-2485P
Mfr. Part No.:
IPA70R750P7SXKSA1
Brand:
Infineon
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

700V CoolMOS P7

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

750mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.3nC

Maximale Verlustleistung Pd

21.2W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon 700V Cool MOS TM P7 Super Junction MOSFET-Serie ist für den SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter konzipiert und bietet im Vergleich zu heute verwendeten Super-Junction-Technologien grundlegende Leistungsverbesserungen. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können. Die neueste CoolMOS\P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist

Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMRDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Integrierte ESD-Schutzdiode

Geringe Schaltverluste (Eoss)