Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 63 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 215-2459
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC034N03LSGATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS'3 Power-MOSFET-Serie hat eine maximale 30-V-Drain-Quellspannung mit SuperSO8 5x6-Gehäuseausführung. Die extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie der niedrigste Betriebswiderstand in kleinen Gehäusen machen OptiMOS TM 25 V zur besten Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Datenkommunikations- und Telekommunikationsanwendungen. OptiMOS TM 30-V-Produkte sind durch verbessertes EMI-Verhalten sowie eine längere Batterie auf die Anforderungen der Energieverwaltung im Notebook zugeschnitten. Erhältlich in Halbbrücken-Konfiguration (Leistungsstufe 5x6).
Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen
N-Kanal; Logikpegel
Ausgezeichnete Gatterladung x R DS(ON) Produkt (BFM)
Sehr geringer Widerstand R DS(ON)
Überlegener Wärmewiderstand
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