Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 42 A 140 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 14,64

(ohne MwSt.)

€ 17,57

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2 740 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40€ 1,464€ 14,64
50 - 90€ 1,391€ 13,91
100 - 240€ 1,332€ 13,32
250 - 490€ 1,273€ 12,73
500 +€ 1,186€ 11,86

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-9129
Herst. Teile-Nr.:
IRFR4104TRLPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

59nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

6.22mm

Breite

2.39 mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung . Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Er wird mit Advanced Process Technology geliefert

Der MOSFET ist bleifrei

Verwandte Links