Infineon CoolMOS C7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 214-9116
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R180C7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 1,843 | € 55,29 |
| 60 - 120 | € 1,751 | € 52,53 |
| 150 - 270 | € 1,677 | € 50,31 |
| 300 - 570 | € 1,604 | € 48,12 |
| 600 + | € 1,493 | € 44,79 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9116
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R180C7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.21mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Höhe 21.1mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.21mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V CoolMOS C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Diese sind für harte und weiche Schaltfunktionen geeignet. Geeignet für Anwendungen wie Server, Telekommunikation und Solar.
Geeignet für hartes und weiches Schalten
Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC
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