Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
214-9095
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R180C7XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

CoolMOS C7

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Breite

4.57 mm

Höhe

9.45mm

Länge

10.36mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS-Serie ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS C7-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Diese sind für hartes und weiches Schalten geeignet. Geeignet für Anwendungen wie Server, Telekommunikation und Solar.

Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC

Geeignet für hartes und weiches Schalten

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