Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 80 A 125 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
214-9082
Herst. Teile-Nr.:
IPP052N08N5AKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.45mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.57 mm

Länge

10.36mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon Serie bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, einschließlich der CoolMOS-, OptiMOS- und Stark-IRFET-Familien. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs. Diese Leistungs-MOSFETs der neuesten Generation wurden speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Servernetzteilen entwickelt.

Qualifiziert gemäß JEDEC1 für Zielanwendungen

100%ig auf Stoßentladung geprüft

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