Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19.2 A 151 W, 5-Pin VSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-9076
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R210P6AUMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- IPL60R210P6AUMA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 210mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 151W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 210mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 151W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
600 V CoolMOSaP6-Leistungs-Transistor
Die CoolMOSTM P6-Superjunction-MOSFET-Familie von Infineon wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach zu gestalten. CoolMOSTM P6 schließt die Lücke zwischen Technologien, die sich auf die ultimative Leistung konzentrieren, und denen, die sich stärker auf die Benutzerfreundlichkeit konzentrieren.
Zusammenfassung der Merkmale
Vorteile
Anwendungsmöglichkeiten
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