Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19.2 A 151 W, 5-Pin VSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-9076
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R210P6AUMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 13,51
(ohne MwSt.)
€ 16,21
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 2 980 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,702 | € 13,51 |
| 25 - 45 | € 2,352 | € 11,76 |
| 50 - 120 | € 2,218 | € 11,09 |
| 125 - 245 | € 2,054 | € 10,27 |
| 250 + | € 1,892 | € 9,46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9076
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R210P6AUMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 210mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 151W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 210mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 151W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Breite 8.1 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
600 V CoolMOSaP6-Leistungs-Transistor
Die CoolMOSTM P6-Superjunction-MOSFET-Familie von Infineon wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach zu gestalten. CoolMOSTM P6 schließt die Lücke zwischen Technologien, die sich auf die ultimative Leistung konzentrieren, und denen, die sich stärker auf die Benutzerfreundlichkeit konzentrieren.
Zusammenfassung der Merkmale
Vorteile
Anwendungsmöglichkeiten
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 5-Pin IPL60R180P6AUMA1 VSON
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 3-Pin IPW60R190P6FKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220