Infineon CoolMOS C7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-9004P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA65R225C7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt sichern
50 weitere Einheiten hinzufügen, um € 3,85 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 20 Stück (geliefert in Stange)*
€ 36,02
(ohne MwSt.)
€ 43,22
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 330 Einheit(en) mit Versand ab 09. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 20 - 40 | € 1,801 | - |
| 50 - 90 | € 1,724 | € 3,85 |
| 100 - 240 | € 1,65 | € 15,10 |
| 250 + | € 1,535 | € 66,50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9004P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA65R225C7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 225mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 225mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS C7-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von schnellen Super Junction-MOSFETs, die eine höhere Effizienz, geringere Gate-Ladung, einfache Implementierung und hervorragende Zuverlässigkeit bieten.
Einfach zu verwenden/zu treiben
Es bietet Einsparungen bei Systemkosten/Größe durch geringere Kosten Kühlungsanforderungen