Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 15 A 2.5 W, 6-Pin MG-WDSON

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-8982
Herst. Teile-Nr.:
BSF450NE7NH3XUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

MG-WDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.2nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Breite

6.35 mm

Länge

5.49mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die 75-V-OptiMOS-Technologie von Infineon ist auf synchrone Gleichrichtungsanwendungen spezialisiert. Basierend auf der führenden 80-V-Technologie bieten diese 75-V-Produkte gleichzeitig niedrigste Betriebswiderstände und überlegene Schaltleistung. Es erfordert den geringsten Platinenplatzverbrauch. Weltweit niedrigster R DS(on), mit erhöhter Effizienz und umweltfreundlich.

Geringe parasitäre Induktivität

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Es besteht aus zweiseitiger Kühlung

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