Infineon OptiMOS BSB104N08NP3GXUSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 50 A, 7-Pin MG-WDSON-2
- RS Best.-Nr.:
- 214-8966
- Herst. Teile-Nr.:
- BSB104N08NP3GXUSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Die Infineon OptiMOS-Serie ist der Marktführer in hocheffizienten Lösungen für die Stromerzeugung (z. B. Solar-Mikrowechselrichter), Stromversorgung (z. B. Server und Telekommunikation) und den Energieverbrauch (z. B. Elektrofahrzeug). Diese bestehen aus einer Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren in Hochleistungspaketen, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und volle Flexibilität auf begrenztem Raum zu bieten.
Geringe parasitäre Induktivität
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
Beidseitige Kühlung
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
Beidseitige Kühlung
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 50 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
| Serie | OptiMOS |
| Gehäusegröße | MG-WDSON-2 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 7 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0104 O |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
- RS Best.-Nr.:
- 214-8966
- Herst. Teile-Nr.:
- BSB104N08NP3GXUSA1
- Hersteller:
- Infineon