Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2 A 42 W, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 214-4478
- Mfr. Part No.:
- SPD02N80C3ATMA1
- Brand:
- Infineon
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- SPD02N80C3ATMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon Cool MOS MOSFET verwendet eine neue revolutionäre Hochspannungstechnologie und verfügt über eine hohe Peak Current Kapazität.
Er verfügt über eine extrem niedrige Gate-Ladung
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