Infineon DirectFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 25 A 42 W, 3-Pin DirectFET

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 7,60

(ohne MwSt.)

€ 9,10

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 3 350 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40€ 0,76€ 7,60
50 - 90€ 0,722€ 7,22
100 - 240€ 0,691€ 6,91
250 - 490€ 0,662€ 6,62
500 +€ 0,615€ 6,15

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-4455
Herst. Teile-Nr.:
IRF6645TRPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

DirectFET

Gehäusegröße

DirectFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser starke IRFET-Leistungs-MOSFET von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Er ist ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.

Er ist für die synchrone Gleichrichtung optimiert

Verwandte Links