Infineon DirectFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 25 A 42 W, 3-Pin DirectFET

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RS Best.-Nr.:
214-4455
Herst. Teile-Nr.:
IRF6645TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

DirectFET

Serie

DirectFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser starke IRFET-Leistungs-MOSFET von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Er ist ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.

Er ist für die synchrone Gleichrichtung optimiert

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