Infineon HEXFET IRF3709ZSTRRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 87 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 214-4451
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3709ZSTRRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 214-4451
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3709ZSTRRPBF
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- Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Dieser Infineon HEXFET MOSFET ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Er ist ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und erfordern Robustheit
Es verfügt über eine Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 87 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Serie | HEXFET |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0078 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.25V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |