Infineon 600V CoolMOS G7 SJ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 23 A 141 W, 8-Pin HSOF

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 21,96

(ohne MwSt.)

€ 26,35

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1 510 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 5€ 4,392€ 21,96
10 - 20€ 3,952€ 19,76
25 - 45€ 3,688€ 18,44
50 - 120€ 3,47€ 17,35
125 +€ 3,206€ 16,03

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-4426
Herst. Teile-Nr.:
IPT60R102G7XTMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

HSOF

Serie

600V CoolMOS G7 SJ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

102mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

141W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

10.58 mm

Länge

10.1mm

Höhe

2.4mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon 600 V Cool MOS G7 SJ MOSFET vereint die Vorteile der verbesserten 600 V Cool MOS TM C7 Gold-Technologie, 4-polige Kelvin-Quellfähigkeit und die verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless (TOLL)-Gehäuses, um eine mögliche SMD-Lösung für Starkstrom-Hartschalungstopologien wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) zu ermöglichen

Er ermöglicht Best-in-Class R DS(on) auf kleinstem Raum

Sie hat die Produktionskosten gesenkt

Verwandte Links