Infineon 600V CoolMOS G7 SJ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 23 A 141 W, 8-Pin HSOF

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RS Best.-Nr.:
214-4426
Herst. Teile-Nr.:
IPT60R102G7XTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

HSOF

Serie

600V CoolMOS G7 SJ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

102mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

141W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.4mm

Länge

10.1mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon 600 V Cool MOS G7 SJ MOSFET vereint die Vorteile der verbesserten 600 V Cool MOS TM C7 Gold-Technologie, 4-polige Kelvin-Quellfähigkeit und die verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless (TOLL)-Gehäuses, um eine mögliche SMD-Lösung für Starkstrom-Hartschalungstopologien wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) zu ermöglichen

Er ermöglicht Best-in-Class R DS(on) auf kleinstem Raum

Sie hat die Produktionskosten gesenkt

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