Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 200 Stück)*

€ 17,00

(ohne MwSt.)

€ 20,40

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 74 600 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
200 - 200€ 0,085€ 17,00
400 - 800€ 0,081€ 16,20
1000 - 1800€ 0,078€ 15,60
2000 - 4800€ 0,074€ 14,80
5000 +€ 0,06€ 12,00

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-4337
Herst. Teile-Nr.:
BSS7728NH6327XTSA2
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

0.36W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Länge

3.04mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Diese Infineon SIPMOS Kleinsignal-MOSFETist ideal für Anwendungen in der Automobilindustrie und/oder anderen Bereichen geeignet. Sie sind in fast allen Anwendungen zu finden, z. B. Batterieschutz, Batterie Batterie laden, LED-Beleuchtung usw.

Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

Verwandte Links