DiodesZetex Doppelt DMN3190LDWQ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 1 A 0.4 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 213-9186P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3190LDWQ-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (100 Stück, auf Gurtabschnitt geliefert)*
€ 30,90
(ohne MwSt.)
€ 37,10
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 17 600 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 200 | € 0,309 |
| 250 - 450 | € 0,303 |
| 500 - 950 | € 0,274 |
| 1000 + | € 0,247 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 213-9186P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3190LDWQ-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | DMN3190LDWQ | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.19Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.4W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.15mm | |
| Normen/Zulassungen | UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Breite | 2.1mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie DMN3190LDWQ | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.19Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.4W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.15mm | ||
Normen/Zulassungen UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Breite 2.1mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der MOSFET der DiodesZetex DBN3190LDWQ-Serie wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit