Vishay SQJQ142E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 460 A 500 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 210-5058
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ142E-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 10,63
(ohne MwSt.)
€ 12,755
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 2 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,126 | € 10,63 |
| 50 - 120 | € 1,914 | € 9,57 |
| 125 - 245 | € 1,592 | € 7,96 |
| 250 - 495 | € 1,276 | € 6,38 |
| 500 + | € 1,064 | € 5,32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-5058
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ142E-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 460A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | SQJQ142E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 92nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8mm | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 460A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Serie SQJQ142E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 92nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8mm | ||
Breite 8.1 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET hat ein PowerPAK 8 x 8 L-Gehäuse.
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft
Dünnes 1,6-mm-Gehäuse
Sehr niedriger Wärmewiderstand
Verwandte Links
- Vishay SQJQ142E Typ N-Kanal 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 40 V Typ N-Kanal 4-Pin SQJ138ELP-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 30 V Typ N-Kanal 4-Pin SQJ128ELP-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 60 V Typ N-Kanal 4-Pin SQJ174EP-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 60 V Typ N-Kanal 4-Pin SQJA16EP-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 80 V Typ N-Kanal 4-Pin SQJ180EP-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)
- Vishay SQJQ148E Typ N-Kanal 4-Pin SQJQ148E-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal 4-Pin SQJQ140E-T1_GE3 PowerPAK (8x8L)
