Vishay SQJB46EP_RC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 34 W, 4-Pin SO-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
210-5055
Herst. Teile-Nr.:
SQJB46EP-T1_GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

SQJB46EP_RC

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

34W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Länge

5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay MOSFET hat ein PowerPAK SO-8L-Gehäuse.

R-C-Werte für den elektrischen Stromkreis im Foster/Tank und Cauer-/Filterkonfigurationen sind im Lieferumfang enthalten

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