Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 88 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 210-5041
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ146ELP-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
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- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 88 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8L | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0043 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.2 → 2.2V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 88 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8L | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,0043 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.2 → 2.2V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der Vishay Automotive N-Kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET verfügt über ein PowerPAK SO-8L-Gehäuse mit 88 A Ableitstrom.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft
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