Vishay SiR826LDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 86 A 83 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
210-5004
Herst. Teile-Nr.:
SiR826LDP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

86A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

SiR826LDP

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.15mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

90nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.12mm

Länge

6.25mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.26 mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK SO-8-Gehäuse mit 86 A Ableitstrom.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM

100 % Rg- und UIS-geprüft

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