Vishay E SIHG15N80AE-GE3 N-Kanal MOSFET 800 V / 13 A, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 210-4983
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG15N80AE-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 210-4983
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG15N80AE-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie hat ein TO-247AC-Gehäuse mit 13 A Ableitstrom.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 13 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V |
| Serie | E |
| Gehäusegröße | TO-247AC |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,304 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2 → 4V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |