Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 8.4 A 156 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 18,60

(ohne MwSt.)

€ 22,30

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 175 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 3,72€ 18,60
50 - 120€ 3,348€ 16,74
125 - 245€ 2,976€ 14,88
250 - 495€ 2,716€ 13,58
500 +€ 2,34€ 11,70

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
210-4975
Herst. Teile-Nr.:
SiHB186N60EF-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

EF

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

168mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

14.61mm

Höhe

4.06mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET Vishay Serie EF mit schneller Gehäusediode hat den D2PAK-Gehäusetyp (TO-263).

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

Verwandte Links