Vishay SiDR626LDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 204 A 125 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
210-4957
Herst. Teile-Nr.:
SiDR626LDP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

204A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SiDR626LDP

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.51mm

Breite

4.9 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.9mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK SO-8DC-Gehäuse.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM

100 % Rg- und UIS-geprüft

Obere seitliche Kühlung sorgt für zusätzliche Wärmeübertragung

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