Vishay SiDR626LDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 204 A 125 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 210-4957
- Herst. Teile-Nr.:
- SiDR626LDP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay
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- SiDR626LDP-T1-RE3
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 204A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SiDR626LDP | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.51mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 204A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SiDR626LDP | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.51mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK SO-8DC-Gehäuse.
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
Obere seitliche Kühlung sorgt für zusätzliche Wärmeübertragung
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