Vishay SiDR170DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 95 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- RS Best.-Nr.:
- 210-4955
- Herst. Teile-Nr.:
- SiDR170DP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SiDR170DP-T1-RE3
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Der Vishay N-Kanal 100 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK SO-8DC-Gehäuse.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 95 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8DC |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,004 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1 → 2.5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |