Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3 A 500 mW, 8-Pin VSONP
- RS Best.-Nr.:
- 208-8477P
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17484F4
- Hersteller:
- Texas Instruments
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 250 - 450 | € 0,226 |
| 500 - 1200 | € 0,204 |
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- CSD17484F4
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- Texas Instruments
Technische Daten des gezeigten Artikels
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | NexFET | |
| Gehäusegröße | VSONP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 128mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.2mm | |
| Länge | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie NexFET | ||
Gehäusegröße VSONP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 128mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.2mm | ||
Länge 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
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