DiodesZetex DMN3731 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 900 mA 0.4 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 206-0087
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3731U-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3731U-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 900mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DMN3731 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 730mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.4W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.8 mm | |
| Länge | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 900mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DMN3731 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 730mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.4W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.8 mm | ||
Länge 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.9mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex-N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit 30 V wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen macht. Seine Gate-Quellspannung beträgt 8 V mit 0,4 W Wärmeverlustleistung.
Niedriger VGS(TH), kann direkt über eine Batterie betrieben werden
ESD-geschütztes Tor
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