DiodesZetex DMN10 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.7 A 2 W, 8-Pin PowerDI3333

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RS Best.-Nr.:
206-0073
Herst. Teile-Nr.:
DMN10H170SFGQ-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

DMN10

Gehäusegröße

PowerDI3333

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

133mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.25mm

Höhe

0.75mm

Breite

3.25 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der komplementäre 100-V-MOSFET für DiodesZetex-MOSFET mit Paarverbesserung wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Er ist gemäß AEC-Q101 zugelassen, unterstützt durch einen PPAP, und ist ideal für den Einsatz in der Motorsteuerung und Stromüberwachungsfunktion.

Niedriger RDS(ON) - sorgt dafür, dass die Verluste im eingeschalteten Zustand minimiert werden

Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor

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