DiodesZetex DMN10 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.7 A 2 W, 8-Pin PowerDI3333
- RS Best.-Nr.:
- 206-0073
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN10H170SFGQ-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-0073
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN10H170SFGQ-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333 | |
| Serie | DMN10 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 133mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26.7nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.25mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerDI3333 | ||
Serie DMN10 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 133mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26.7nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.25mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der komplementäre 100-V-MOSFET für DiodesZetex-MOSFET mit Paarverbesserung wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Er ist gemäß AEC-Q101 zugelassen, unterstützt durch einen PPAP, und ist ideal für den Einsatz in der Motorsteuerung und Stromüberwachungsfunktion.
Niedriger RDS(ON) - sorgt dafür, dass die Verluste im eingeschalteten Zustand minimiert werden
Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor
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