DiodesZetex DMG7430 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14 A 1.5 W, 8-Pin PowerDI3333
- RS Best.-Nr.:
- 206-0070
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG7430LFGQ-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
€ 510,00
(ohne MwSt.)
€ 612,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 16 000 Einheit(en) mit Versand ab 30. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | € 0,255 | € 510,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-0070
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG7430LFGQ-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | DMG7430 | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Länge | 3.25mm | |
| Breite | 3.25 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie DMG7430 | ||
Gehäusegröße PowerDI3333 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.75mm | ||
Länge 3.25mm | ||
Breite 3.25 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex 30-V-MOSFET mit komplementäragem Paarverbesserungsmodus wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Er ist gemäß AEC-Q101 zugelassen, unterstützt durch einen PPAP, und ist ideal für den Einsatz in der Motorsteuerung und Stromüberwachungsfunktion.
Niedriger RDS(ON) - sorgt dafür, dass die Verluste im eingeschalteten Zustand minimiert werden
Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor
Verwandte Links
- DiodesZetex DMG7430 Typ N-Kanal 8-Pin DMG7430LFGQ-7 PowerDI3333
- DiodesZetex DMG7430LFG Typ N-Kanal 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMT35M4LFVW Typ N-Kanal 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMN10H220LFVW Typ N-Kanal 8-Pin PowerDI3333
