onsemi NTH N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 1200 V / 31 A 178 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 205-2501
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL080N120SC1A
- Hersteller:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
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- Herst. Teile-Nr.:
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- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | NTH | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Durchlassspannung Vf | 4V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 178W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 15.37mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 4.48mm | |
| Länge | 39.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie NTH | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Durchlassspannung Vf 4V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 178W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 15.37mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 4.48mm | ||
Länge 39.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
Der on Semiconductor NTH-Serie SiC N-Kanal 1200 V MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chip-Größe für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Systemvorteilen gehören höchste Effizienz, faster Betrieb, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Der Dauerablassstrom beträgt 31 A.
Der Ablass zur Quelle bei einem Widerstand beträgt 110 MOhm
Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität
100 % UIL-geprüft
Niedrige effektive Ausgangskapazität
Gehäusetyp ist TO-247-3LD