onsemi Power Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 150 A 46 W, 8-Pin PQFN

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205-2432
Herst. Teile-Nr.:
NTTFS1D8N02P1E
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

Power

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

46W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.2mm

Höhe

0.7mm

Breite

3.2 mm

Automobilstandard

Nein

Der 25-V-N-Kanal-MOSFET der on Semiconductor Power33-Serie wird mit Advanced Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.

Der maximale Drain-Nennstrom beträgt 150 A.

Der Widerstand zwischen Ablass und Quelle beträgt 1,3 MOhm

Kleine Abmessungen für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

100 % UIL-geprüft

Gehäuse ist Power 33 (PQFN8)

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