onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, SMD MOSFET 150 V Erweiterung / 35 A, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 205-2426
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS011N15MC
- Hersteller:
- onsemi
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 205-2426
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS011N15MC
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Der 150-V-N-Kanal-MV-MOSFET der Serie ON Semiconductor Power Trench wird mit Advanced Prozess, der geschirmte Gate-Technologie einschließt. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und dennoch die überlegene Schaltleistung mit der besten Weichkörperdiode der Klasse aufrechtzuerhalten.
Max. rDS(on) = 11,5 Mohm bei VGS ist 10 V, ID ist 35 A
Niedriger Leitungsverlust
Max. rDS(on) ist 13,2 Mohm bei VGS ist 8 V, ID ist 18 A
50 % niedriger Qrr als andere Mosfet-Anbieter
Niedriges Schaltgeräusch/EMI
Robuste MSL1-Gehäusedesign
100% UIL-geprüft
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