STMicroelectronics STN6N60M2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 5.5 A 6 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 204-9959P
- Herst. Teile-Nr.:
- STN6N60M2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | STN6N60M2 | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.25Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.8mm | |
| Breite | 6.48mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie STN6N60M2 | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.25Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.8mm | ||
Breite 6.48mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das STMicroelectronics Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mit der M2-Technologie von MDmesh entwickelt wurde. Dank seines Streifenlayouts und einer verbesserten vertikalen Struktur weist das Gerät einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf und ist damit für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet.
Sehr geringe Gate-Ladung
Ausgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (Coss)
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt