Vishay SQJA81EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 46 A 68 W, 4-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
204-7240
Herst. Teile-Nr.:
SQJA81EP-T1_GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

46A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SQJA81EP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Breite

4.8 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.25mm

Automobilstandard

Nein

Der P-Kanal 80 V (D-S) 175 °C MOSFET von Vishay Automotive ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

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