Vishay SQJA81EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 46 A 68 W, 4-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 204-7240
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJA81EP-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | SQJA81EP | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 6.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie SQJA81EP | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 6.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal 80 V (D-S) 175 °C MOSFET von Vishay Automotive ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
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