STMicroelectronics STD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 480 V / 10 A 92 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 202-4809P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD13N60M6
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
€ 51,60
(ohne MwSt.)
€ 61,90
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 1 640 Einheit(en) mit Versand ab 12. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 245 | € 1,032 |
| 250 - 495 | € 1,018 |
| 500 + | € 1,006 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 202-4809P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD13N60M6
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 480V | |
| Serie | STD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 380mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 92W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 10.1mm | |
| Breite | 2.4mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 480V | ||
Serie STD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 380mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 92W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 10.1mm | ||
Breite 2.4mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der STMicroelectronics N-Kanal-MDmesh-M6-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse hat geringere Schaltverluste. Es verfügt außerdem über einen niedrigeren RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation.
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt