STMicroelectronics Mdmesh M6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 31 A 190 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 201-4499
- Herst. Teile-Nr.:
- STL47N60M6
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 13,54
(ohne MwSt.)
€ 16,24
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 29. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | € 6,77 | € 13,54 |
| 50 - 98 | € 5,08 | € 10,16 |
| 100 - 248 | € 4,64 | € 9,28 |
| 250 - 998 | € 4,52 | € 9,04 |
| 1000 + | € 4,39 | € 8,78 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 201-4499
- Herst. Teile-Nr.:
- STL47N60M6
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | Mdmesh M6 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 82mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 0.95 mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie Mdmesh M6 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 82mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 0.95 mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics N-Kanal 600 V, 70 mO typ., 31 A MDmesh M6 Leistungs-MOSFET in einem PowerFLAT 8x8 HV-Gehäuse hat eine ausgezeichnete Schaltleistung dank des zusätzlichen Treiberquellen-Pins.
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics Mdmesh M6 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal 3-Pin STP18NM80 TO-220
- STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal 3-Pin STP10NM60N TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal 3-Pin STF26NM60N TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal 3-Pin STF9NM60N TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal 3-Pin STF7NM60N TO-220
