onsemi NTMJS1D4N06CL N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 262 A 180 W, 8-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
201-3408
Herst. Teile-Nr.:
NTMJS1D4N06CLTWG
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

262A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

NTMJS1D4N06CL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

103nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

180W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5mm

Länge

4.9mm

Breite

1.3mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor 60-V-N-Kanal-MOSFET hat eine industrielle Leistung in einem 5 x 6 mm-Gehäuse und wird für kompakte und effiziente Bauweise verwendet, einschließlich hoher Wärmeleistung. Außerdem sind diese Geräte bleifrei und RoHS-konform.

Geringe Leitungsverluste

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

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