Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 5 A 62.5 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 200-6869
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHU6N80AE-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
€ 30,90
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(inkl. MwSt.)
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 1,236 | € 30,90 |
| 50 - 100 | € 0,939 | € 23,48 |
| 125 - 225 | € 0,865 | € 21,63 |
| 250 - 600 | € 0,679 | € 16,98 |
| 625 + | € 0,652 | € 16,30 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 200-6869
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHU6N80AE-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 850V | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 950mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 850V | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 950mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay sihuu6N80AE-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E.
Niedrige Leistungszahl
Niedrige effektive Kapazität (Ziss)
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Lawinenenergie (UIS)
Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz