Vishay SQD10950E N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 11.5 A 62 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 200-6792
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD10950E_GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- 200-6792
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD10950E_GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | SQD10950E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 2.38mm | |
| Höhe | 10.41mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie SQD10950E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 2.38mm | ||
Höhe 10.41mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay SQD10950E_GE3 ist ein Kfz-N-Kanal-250-V-(D-S)-MOSFET mit 175 °C.
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
100 % Rg- und UIS-getestet
AEC-Q101-qualifiziert
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