STMicroelectronics Einfach Mdmesh M6 N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage 600 V Erweiterung / 13 A 25 W,
- RS Best.-Nr.:
- 192-5002P
- Herst. Teile-Nr.:
- STF18N60M6
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 192-5002P
- Herst. Teile-Nr.:
- STF18N60M6
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | Mdmesh M6 | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie Mdmesh M6 | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montageart Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 16.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die neue MDmeshTM M6-Technologie umfasst die neuesten Entwicklungen der bekannten und konsolidierten MDmesh-Familie von SJ-MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh-Geräten mit seiner neuen M6-Technologie auf, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten verfügbaren Schaltverhaltensweisen sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz der Endanwendung kombiniert.
Reduzierte Schaltverluste
Geringerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Zener-geschützt