STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 300 V / 53 A 250 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
192-4977
Herst. Teile-Nr.:
STB45N30M5
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

53A

Drain-Source-Spannung Vds max.

300V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

MDmesh M5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.04Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

±25 V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

95nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Breite

9.35 mm

Höhe

4.37mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dieses Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf der innovativen vertikalen Prozesstechnologie MDmesh TM M5 in Kombination mit dem bekannten horizontalen PowerMESH-Layout. Das resultierende Produkt bietet einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine hohe Leistung und einen überlegenen Wirkungsgrad erfordern.

Extrem niedriger RDS(on)

Niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

Ausgezeichnetes Schaltvermögen

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