STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 300 V / 53 A 250 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 192-4977
- Herst. Teile-Nr.:
- STB45N30M5
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 53A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 300V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.04Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 95nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.37mm | |
| Breite | 9.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 53A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 300V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.04Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 95nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.37mm | ||
Breite 9.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf der innovativen vertikalen Prozesstechnologie MDmesh TM M5 in Kombination mit dem bekannten horizontalen PowerMESH-Layout. Das resultierende Produkt bietet einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine hohe Leistung und einen überlegenen Wirkungsgrad erfordern.
Extrem niedriger RDS(on)
Niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Ausgezeichnetes Schaltvermögen